氮化硼在电子元器件中应用广泛，主要利用其高热导率、高电绝缘性、高介电性能及高温稳定性，具体应用场景及优势如下：
　　一、高温电子封装与散热
　　封装材料
　　氮化硼作为陶瓷基板、芯片载体、散热器的封装材料，凭借其高热导率和电绝缘性，可在高温环境下稳定工作，显著提升电子器件的可靠性和稳定性。例如，在5G射频芯片、毫米波天线等高功率场景中，氮化硼散热膜通过透电磁波、高导热、高绝缘等特性，有效解决超薄空间的散热问题。
　　散热材料
　　在高功率密度电力电子器件中，氮化硼作为散热材料，通过高导热性和热稳定性，将热量高 效传递并散发，延长器件寿命。其导热系数可达60W/(m·K)，热扩散系数30mm²/s，电击穿强度40kV/mm，性能优于传统石墨膜和相变材料。
　　热界面材料（TIM）
　　氮化硼纳米管（BNNT）作为高导热填料，添加至热界面材料中可提升导热性能10%-20%，成本仅增加1%-2%。其超 高导热系数（2400W/m·K）是铜的6倍、钻石的3倍，且电绝缘性优异（电阻率>10⁸Ω·cm），适用于高密度集成电路散热。
　　二、高频电子元件
　　微波介质陶瓷
　　氮化硼的优异介电性能和高温稳定性，使其成为制造高频微波器件（如滤波器、谐振器、天线）的理想材料，广泛应用于通信、雷达、导航等领域。其低介电常数（4.5，1MHz-28GHz）和低介电损耗特性，可提升器件性能。
　　射频与微波器件
　　氮化硼陶瓷作为介质材料或基板，用于射频滤波器、天线、微波集成电路等器件，显著提高信号传输效率。例如，氮化硼基微波振荡器、射频放大器等器件，依托其热电性能优异（热电系数和电阻率稳定性高），实现高精度温度测量。
　　三、半导体制造
　　保护层与刻蚀剂
　　氮化硼在半导体器件制造中作为保护层，防止器件受损伤或污染；同时作为刻蚀剂和薄膜沉积原料，提升制造精度。例如，超低k非晶氮化硼（a-BN）因高密度、低漏电流密度、高击穿场强等特性，成为先进微电子器件的绝缘介电材料。
　　电子束蒸发源材料
　　氮化硼用于制备各种薄膜材料，如氮化硼基半导体材料（纳米线、量子点等），为半导体技术发展提供新可能。其原子级薄的性质和较大带隙，使其成为二维材料器件的帽层、绝缘衬底和栅*电介质。
　　四、绝缘与防护
　　高压电气绝缘
　　氮化硼的高电绝缘性和化学稳定性，使其成为高压电容器、绝缘子、电线电缆等产品的理想材料，显著提升设备电气性能和安全性。例如，在高压电缆、变压器中，氮化硼陶瓷可耐受*端电气条件。
　　热防护涂层
　　氮化硼作为火箭发动机燃烧室和喷嘴的涂层材料，凭借其高温稳定性和抗氧化性，提升耐热性和抗烧蚀性，延长发动机寿命。在卫星太阳能电池板中，氮化硼涂层提供抗辐射保护，增强稳定性。
　　五、新能源领域
　　锂电池隔膜改性
　　氮化硼用于锂电池隔膜改性，通过其热稳定性、电绝缘性和导热性，防止高温下内部短路，减少热失控风险。例如，氮化硼纳米管（BNNT）涂覆的聚丙烯隔膜，可提升导热系数，控制锂枝晶形成，延长循环寿命。
　　导热复合材料
　　氮化硼作为填料，解决热导材料与电气部件接触时的高电阻率需求，避免短路问题。其与碳化硅、氧化铝等导热填料组合，可构建三维导热网络，提升复合材料导热性能。
　　六、纳米电子学
　　纳米器件制造
　　氮化硼的纳米尺度加工性能和稳定物理化学性质，使其成为制造纳米电子器件的关键材料。例如，作为场效应晶体管的通道材料、纳米集成电路的互连线材料，可提升器件性能和可靠性。
　　二维材料集成
　　六方氮化硼（h-BN）因类石墨烯结构，在平行方向上具有很高热导率，适用于电子设备散热；球形六方氮化硼则通过高填充量提升垂直方向散热效率，满足电池散热等需求。